場效應晶體管，被用于電源輸入端，作用是調節電壓大小，進而控制輸入端電流大小，達到輸入端電流大小正比于電壓大小。場效應管操作原理是依賴于輸入柵極電壓產生的電場（因此稱為場效應），因此這使得場效應晶體管成為“電壓”操作設備。

場效應晶體管是具有外觀相似的三個端子單極半導體雙極晶體管，作用是具備高效率、即時操作、堅固，可用于大多數電子電路應用，可替代其等效的雙極結晶體管 (BJT) 的表親。場效應晶體管可以做得比等效的 BJT 晶體管小得多，而且由于其低功耗，它們非常適合用于集成電路，例如 CMOS 系列數字邏輯芯片，同時成本也更低。

場效應雙極晶體管有兩種結構，分別是NPN和PNP，場效應晶體管是一種三端器件，在漏極和源極之間的主要載流路徑內沒有PN結。其端子在功能上分別對應于雙極晶體管的集電極和發射極。兩個端子之間的電流路徑稱為“通道”，它可以由 P 型或 N 型半導體材料制成。

通道中流動的電流控制方式是通過改變施加到柵極的電壓來實現的。顧名思義，雙極晶體管擁有“雙極”，它們與兩種類型的電荷載流子、空穴和電子一起工作。另一方面，場效應晶體管也是一種“單極”器件，僅依賴于電子（N 溝道）或空穴（簡稱MOSFET。

場效應晶體管有兩種主要類型，結型場效應晶體管或JFET和絕緣柵場效應晶體管或IGFET），它們通常被稱為標準金屬氧化物半導體場效應晶體管或簡稱MOSFET。