場效應晶體管的柵極相當于晶體管的基極，源極和漏極分別對應于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬用表置于R×1K檔，用兩支表筆分別測量兩個引腳之間的正向和反向電阻，當兩個管腳之間的正向和反向電阻相等且均為kΩ時，兩個管腳為漏極D和源極s（可互換），其余管腳為柵極G。對于具有4個管腳的結(jié)型FET，另一個管腳為屏蔽極（使用時接地）。

1.結(jié)場效應晶體管的鑒別

將萬用表置于rxlk中，用黑色探針接觸假定的柵極g引腳，然后用紅色探針接觸其他兩個引腳。如果電阻值相對較小（約5'-10Ω），則更換紅色和黑色探針進行再次測量。如果電阻值較大，則屬于n溝道管，且黑色儀表接觸的引腳為柵格g，說明原來的假設(shè)是正確的，p溝道結(jié)場效應晶體管也可以區(qū)分。

2.金屬氧化物場效應管的判別

(1)柵極G的判定

用萬用表Rxl00擋，測量功率場效應管任意兩引腳之間的正、反向電阻值，其中一次測量中兩引腳電阻值為數(shù)百歐姆，這時兩表筆所接的引腳是D極與S極，則另一引腳未接表筆為G極。

3.金屬氧化物場效應晶體管的鑒別

（1）柵極G的確定

使用萬用表的rxl00檔位測量功率FET任意兩個引腳之間的正向和反向電阻值。在一次測量中，兩個針腳的電阻值為數(shù)百歐姆。此時，兩個探頭連接的引腳為d極和S極，另一個引腳為g極。

（2）確定漏極D、源極s類型

使用萬用表rxlokd測量D極和S極之間的正向和反向電阻值，正向電阻值約為0.2x10kfl，反向電阻值為（5-∞) x10kfl。測量反向電阻時，紅色導線連接的針腳保持不變。黑色引線與連接引腳分離后，觸摸G極，然后將黑色引線連接到原始引腳，

出現(xiàn)兩種可能性：

如果萬用表的讀數(shù)從原來的大電阻值變?yōu)榱悖瑒t紅色表筆連接到s極，黑色表筆連接到D極。如果使用黑色表筆觸發(fā)G極有效（以便功率FET的D極和s極之間的正向和反向電阻值為012），F(xiàn)ET為n溝道型。

如果萬用表的讀數(shù)仍然較大，則黑色表筆會原封不動地連接回原始引腳，使用紅色表筆接觸G極，然后將紅色表筆連接回原始引腳。此時，萬用表的讀數(shù)從大的原始電阻值變?yōu)?，然后黑色表筆連接到S極，紅色表筆連接到D極。用紅色表筆觸摸g非常有效。FET為p溝道型。

（3）金屬氧化物場效應管的鑒別

使用萬用表rxlkll測量FET任意兩個引腳之間的正向和反向電阻，如果電阻值小兩倍或兩倍以上（接近0xkll），則FET損壞；如果電阻值僅小一次（通常為數(shù)百歐姆），則其他測量的電阻值為無窮大

，需要進一步判斷。使用萬用表rxlkfl測量D極和s極之間的正負電阻值。對于n通道管，紅色探針連接到s極，黑色探針首先接觸G極，然后測量D極和s極之間的正向和反向電阻值。

如果測得的正向和反向電阻值為0fl，則該管適用于P

對于通道管，黑色探針連接到S極，紅色探針首先接觸G極，然后測量D極和S極之間的正向和反向電阻值。如果測得的正向和反向電阻值為01l，則表明管良好。否則，表示已損壞。

場效應晶體管的優(yōu)點

FET是電壓控制元件，晶體管是電流控制元件。當僅允許從信號源獲取較少的電流時，應選擇FET；在信號電壓較低且允許從信號源獲取更多電流的情況下，應選擇晶體管。MOSFET使用大多數(shù)載流子導電，

因此，它被稱為單極器件，晶體管同時具有多數(shù)載流子和少數(shù)載流子傳導，這被稱為雙極器件。