NMOS FET通過D引腳和s引腳在電源和負載之間串聯(lián)。電阻器R1和R2為MOS晶體管提供電壓偏置。VR1用于限制VG之間的電壓，防止擊穿，在正極連接期間，R1和R2提供VGS電壓，MOS飽和并開啟。反向連接時，MOS無法打開，因此它起到反反向連接的作用。MOS管的開關(guān)特性用于控制電路的通斷，以防止電源反向連接對負載造成損壞。

PMOS場效應(yīng)管防反保護如下圖所示：

PMOS FET通過D引腳和s引腳在電源和負載之間串聯(lián)。電阻器R1和R2為MOS晶體管提供電壓偏置。VR1用于限制VSG之間的電壓，防止擊穿。在正極連接期間，R1和R2提供VSG電壓，MOS飽和并導(dǎo)通。反向連接時，MOS無法打開，因此它起到反反向連接的作用。MOS管的開關(guān)特性用于控制電路的通斷，以防止電源反向連接對負載造成損壞。

由于場效應(yīng)管的加工工藝導(dǎo)致NMOS管的導(dǎo)通電阻比PMOS的小，所以最好選用NMOS。